盛美上海（688082）2024年度管理层讨论与分析

更新时间：2025-04-01 作者：米乐客户端

  证券之星消息，近期盛美上海（688082）发布2024年年度财务报告，报告中的管理层讨论与分析如下：

  半导体产业作为全球经济的关键组成部分，在经历前两年的下滑后，2024年逐步走出低谷迎来回暖态势。半导体涉及汽车电子、人工智能、服务器、芯片、专用IC、材料设备、物联网芯片、汽车MCU、晶圆、封测等多个细分行业，随着生成式人工智能技术的爆发，智能手机、AIPC等消费电子市场的复苏，和汽车电子、物联网等下游市场需求的持续增长，对芯片产出的需求量与日俱增。目前，半导体产业链中材料、设备、制造等环节头部企业的垄断格局依然存在，但随着各国和地区对半导体产业的重视和投入增加，竞争也愈发激烈。中国集成电路产业抓住新机遇，持续不断的发展壮大。

  公司自设立以来，始终致力于为全球集成电路行业提供领先的设备及工艺解决方案，坚持差异化国际竞争和原始创新的发展的策略。通过持续的自主研发，公司加强完善了知识产权体系，凭借丰富的技术和工艺积累，形成了平台化的半导体工艺设备布局，包括清理洗涤设施、半导体电镀设备、立式炉管系列设备、前道涂胶显影Track设备、等离子体增强化学气相沉积PECVD设备、无应力抛光设备、后道先进封装工艺设备和硅材料衬造工艺设备等。公司凭借深耕集成电路设备产业多年而积累的集成应用经验，掌握了核心关键工艺技术、生产制造能力与原始创新的研发能力，拥有有效的供应链管理和制造体系，同时契合集成电路产业链中下游应用市场所需。公司凭借领先的技术和丰富的产品线，已发展成为中国大陆少数具有一定国际竞争力的半导体设备供应商，产品得到众多国内外主流半导体厂商的认可，并取得良好的市场口碑。

  公司具有“高新技术企业”资质，被评为国家级“专精特新”小巨人企业，连续多年被评为“中国半导体设备五强企业”，获得“上海市企业技术中心”和“上海市专精特新企业”等荣誉。报告期内公司被认定为“上海市创新型企业总部”、“上海市制造业单项冠军企业”；荣获浦东新区人民政府“2023年度浦东新区经济突出贡献奖”、浦东新区川沙新镇人民政府“2023年度企业综合贡献奖”、世界集成电路协会颁发的“2024中国半导体企业影响力百强”、上海市集成电路行业协会颁发“2023年度上海市集成电路内资半导体设备业销售前五名”等荣誉。此外，在2023至2024年度的上市公司信息公开披露评价中，公司荣获了优秀的“A”级评级，这是公司连续第二年获得该评级。这一成绩充足表现了公司在信息公开披露领域的高度透明度和严谨性，同时也反映了公司在规范治理、合规管理方面的卓越表现，彰显了公司稳健的治理结构和对投入资产的人负责的态度。

  报告期内，随公司技术水平的逐步的提升、产品成熟度以及市场对公司产品的认可度不断的提高，公司业务开拓迅速，出售的收益持续增长，报告期内保持持续盈利。2024年营业收入56.18亿元，2023年为38.88亿元，同比增长44.48%；2024年归属于上市公司股东的净利润11.53亿元，2023年为9.11亿元，同比增长26.65%；2024年扣除非经常性损益后的归属于上市公司股东的净利润11.09亿元，2023年为8.68亿元，同比增长27.79%；2024年末公司总资产121.28亿元，2023年末为97.54亿元，增长24.35%；2024年末归属于上市公司股东的净资产76.66亿元，2023年末为64.58亿元，增长18.69%；2024年基本每股盈利为2.64元，2023年为2.09元，同比增长26.32%。

  得益于中国半导体设备市场需求量开始上涨、公司在清理洗涤设施领域竞争优势的提升以及不断开拓新的半导体设备产品，报告期内公司出售的收益为561,774.04万元，呈持续增长的趋势。公司产品的规模化销售是公司科技成果与产业深层次地融合的具体表征。公司产品研制方向符合市场趋势和需求，与产业高质量发展深层次地融合。产品的研发成果取得了行业主流客户的认可，客户验证情况良好，增强了公司产品的竞争力。

  公司逐步优化销售预测、物料计划和安全库存管理动态协调机制，上线智能化物流系统，实现设备制造所需零部件的即时交付、高速流转，以期实现设备按时交付。

  公司在营运管理中深化关键指标管理体系，尤其聚焦生产管理、材料管理、客户技术上的支持和设备正常运行表现，精细设定一系列严苛关键考核指标，全方面覆盖质量、效率、成本和安全等关键维度。公司定期深度剖析各项指标的执行情况，依据详实统计结果与客户反馈组织高频次内部研讨，拟定关键指标的优化升级方案。同时，公司大力投入数字化转型，完善升级信息系统。报告期内，公司营运效率显著改进，重复订单设备的生产制造缺陷率持续降低、设备交付按时率保持在良好水准、物料成本控制等指标达到预期水平。

  公司格外的重视科学技术创新和知识产权保护工作，并与员工签订了《保密及知识产权保护协议》。2024年，公司及控股子公司共申请专利311项，比上年增长了89.63%，截至2024年末累计申请专利1,526项，比上年末增长了37.11%。2024年，公司及控股子公司共获得专利权38项，截至2024年末公司及控股子公司拥有已获授予专利权470项（其中发明专利共计468项），比上年末增长了8.05%，其中境内授权专利176项，境外授权专利294项。该等在中国境内已授权的专利不存在质押、司法查封等权利受限制的情形。

  2024年，公司人数从1,578人增长到2,002人，净增长424人，人数增长率为26.87%。随公司经营规模逐步扩大，公司一方面加强生产管理的人才队伍建设，逐步的提升生产效率，优化生产流程，培养了一批具备现代化生产管理技能的人才。另一方面，秉承技术差异化、产品平台化、客户全球化的理念，公司慢慢地增加高端研发技术人才的引进和培养，在产品开发的过程中，不断发掘和培养更多优秀人才，维持了研发团队的稳定健康发展。

  公司建立了较为完善的公司内控制度和公司治理结构，报告期内持续完善公司治理机制，强化风险管理和内部控制，严格贯彻执行相关制度，及时有效地发现风险并予以解决，切实保障公司和股东的合法权益，为企业持续健康发展提供坚实基础。

  公司严格遵守《中华人民共和国证券法》《上海证券交易所科创板股票上市规则》等法律和法规以及监督管理的机构的各项规定，严格执行公司信息公开披露管理制度，确保信息披露的真实、准确、完整、及时、公平。通过上市公司公告、业绩说明会、投资者交流会、上证E互动平台、电话会议、电子邮件等多种渠道，全方位、多角度地保持公司的高运营透明度，保障广大投资者和市场参与者能够全方面了解公司经营状况和发展动态。

  针对内幕交易防范工作，公司格外的重视并扎实做好内幕信息知情人登记管理工作，严格按照相关规定，明确内幕信息范围，落实内幕信息知情人登记制度，强化内部信息流转管控。公司定期对董事、监事、高级管理人员及相关员工发送禁止内幕交易的警示，强调保密义务的重要性，并敦促有关人员严格遵守买卖公司股票的规定，严防内幕交易行为的发生。

  2024年度，公司剔除股份支付费用后的归属于上市公司股东的净利润达14.44亿元，同比增长35.48%，主要源于全球半导体行业复苏带来的市场机遇，特别是中国大陆市场需求强劲增长，和公司在产品技术创新和市场拓展方面取得的显著成果。

  展望未来，在全球半导体产业链重构进程加速的背景下，公司将持续加大研发投入，深化技术创新，巩固差异化竞争优势。尽管实施股权激励计划产生的股份支付费用可能在某些特定的程度上影响会计准则下的净利润表现，但这是吸引和留住核心人才的重要举措，有助于增强团队凝聚力和创新动力，对公司长期发展至关重要。公司将继续优化人才激励机制，在平衡短期费用影响和长期发展收益的同时，不断的提高核心业务的盈利能力，持续为股东创造价值。

  公司主要是做对集成电路制造业至关重要的半导体清理洗涤设施、半导体电镀设备、立式炉管系列设备、涂胶显影Track设备、等离子体增强化学气相沉积PECVD设备、无应力抛光设备、后道先进封装设备和硅材料衬造工艺设备等的开发、制造和销售，并致力于为半导体制造商提供定制化、高性能、低消耗的工艺解决方案，有效提升客户多个步骤的生产效率、产品良率，并降低生产成本。

  公司经过多年持续的研发投入和技术积累，先后开发了前道半导体工艺设备，包括清理洗涤设施、半导体电镀设备、立式炉管系列设备、涂胶显影Track设备、等离子体增强化学气相沉积PECVD设备、无应力抛光设备；后道先进封装工艺设备和硅材料衬造工艺设备等。

  A.SAPS兆声波单片清理洗涤设施晶圆表面的兆声波能量与晶圆和兆声波发生器之间的距离呈现周期性的变化。在传统的兆声波清洗工艺中，不同工序后应力带来的晶圆翘曲，使得晶圆上不同点到兆声波发生器的距离不同，因此晶圆上不同位置的兆声波能量也不相同，没办法实现兆声波能量在晶圆表面的均匀分布。而且由于硬件位置控制的误差，也会造成兆声波能量在晶圆表面分布的不均匀。

  公司自主研发的SAPS兆声波技术采用扇形兆声波发生器，通过精确匹配晶圆旋转速度、液膜厚度、兆声波发生器的位置、交变位移及能量等关键工艺参数，通过在工艺中控制兆声波发生器和晶圆之间的半波长范围的相对运动，使晶圆上每一点在工艺时间内接收到的兆声波能量都相同，从而很好的控制了兆声波能量在晶圆表面的均匀分布。

  公司自主研发的TEBO清理洗涤设施，可适用于28nm及以下的图形晶圆清洗，通过一系列快速（频率达到每秒一百万次）的压力变化，使得气泡在受控的温度下保持尺寸和形状振荡，将气泡控制在稳定震荡状态，而不会内爆，从而保持晶圆微结构不被破坏，对晶圆表面图形结构可以进行无损伤清洗。公司TEBO清理洗涤设施，在器件结构从2D转换为3D的技术转移中，可应用于更为精细的具有3D结构的FinFET、DRAM和新兴3DNAND等产品，以及未来新型纳米器件和量子器件等，在提升客户产品良率方面发挥逐渐重要的作用。

  公司通过自主研发并具有全球知识产权保护的SAPS和TEBO兆声波清洗技术，解决了兆声波技术在集成电路单片清理洗涤设施上应用时，兆声波能量如何在晶圆上均匀分布及怎么来实现图形结构无损伤的全球性难题。为实现产能最大化，公司单片清理洗涤设施可按照每个客户需求配置多个工艺腔体，最高可单台配置18腔体，有效提升客户的生产效率。

  随着技术节点推进，工艺温度要求在150摄氏度以上，甚至超过200摄氏度的SPM工艺步骤逐渐增加。高剂量离子注入后的光刻胶去除、无灰化步骤的纯湿法去胶工艺，以及特殊的金属膜层刻蚀或剥离，都对SPM的温度提出了更高的要求。公司的新型单片高温SPM设备使用独特的多级梯度加热系统来预热硫酸，然后将硫酸与过氧化氢混合以达到超高温。同时，公司的腔体支持配置其他多种化学品，并配备在线化学品混酸（CIM）系统，可用于动态设置工艺中的化学品配比及温度。该腔体配置还可支持更多的化学品和灵活的辅助清洗方案，比如公司独有的专利技术SAPS和TEBO兆声波技术。该设备可支持300mm晶圆单片SPM（硫酸和过氧化氢混合酸）工艺，可广泛应用于逻辑、DRAM和3D-NAND等集成电路制造中的湿法清洗和刻蚀工艺，尤其适合处理高剂量离子注入后的光刻胶（PR）去除工艺，以及金属刻蚀和剥离工艺。

  公司自主研发的具有全球知识产权保护的Tahoe清洗设备在单个湿法清洗设备中集成了两个模块：槽式模块和单片模块。Tahoe清洗设备可被应用于光刻胶去除、刻蚀后清洗、离子注入后清洗和机械抛光后清洗等几十道关键清洗工艺中。Tahoe清洗设备的清洗效果与工艺适用性可与单片中低温SPM清洗设备相媲美。该设备通过减少高达75%的硫酸消耗量，仅硫酸一项每年就可节省高达数十万美元的成本，帮助客户降低生产成本又能更好符合国家节能减排政策。该设备具备强大的清洗能力，在26纳米颗粒测试中实现了平均颗粒个位数的标准，可满足高端制造的严格要求。

  公司研发的单片背面清洗设备采用伯努利卡盘，应用空气动力学悬浮原理，使用机械手将晶圆送入腔体后，使晶背朝上，晶圆正面朝下，在工艺过程中，精准流量控制的高纯氮气通过晶圆与卡具之间的空隙。同时，该设备还可精准控制晶圆边缘回刻宽度，做到zeroundercut控制。该设备可用于背面金属污染清洗及背面刻蚀等核心工艺。

  该设备支持多种器件和工艺，包括3DNAND、DRAM和逻辑工艺，使用湿法刻蚀方法去除晶圆边缘的各种电介质、金属和有机材料薄膜，以及颗粒污染物。这种方法最大限度地减少了边缘污染对后续工艺步骤的影响，提高了芯片制造的良率，同时整合背面晶圆清洗的功能，进一步优化了工艺和产品结构。

  设备采用单片腔体对晶圆正背面依工序清洗，可进行包括晶圆背面刷洗、晶圆边缘刷洗、正背面二流体清洗等清洗工序；设备占地面积小，产能高，稳定性强，多种清洗方式灵活可选。该设备可用于集成电路制造流程中前段至后段各道刷洗工艺。

  公司开发的全自动槽式清洗设备广泛应用于集成电路领域和先进封装领域的清洗、刻蚀、光刻胶去除等工艺，采用纯水、碱性药液、酸性药液作为清洗剂，与喷淋、热浸、溢流和鼓泡等清洗方式组合，再配以常压IPA干燥技术及低压IPA干燥技术，能够同时清洗50片晶圆。该设备自动化程度高，设备稳定性好，清洗效率高，金属、材料及颗粒的交叉污染低。该设备主要应用于40nm及以上技术节点的几乎所有清洗工艺步骤。

  公司自主开发针对28nm及以下技术节点的IC前道铜互连镀铜技术UltraECPmap。公司的多阳极局部电镀技术采用新型的电流控制方法，实现不同阳极之间毫秒级别的快速切换，可在超薄籽晶层上完成无空穴填充，同时通过对不同阳极的电流调整，在无空穴填充后实现更好的沉积铜膜厚的均匀性，可满足各种工艺的镀铜需求。

  应用于填充3d硅通孔TSV和2.5D转接板的三维电镀设备UltraECP3d。基于盛美半导体电镀设备的平台，该设备可为高深宽比（深宽比大于10:1）铜应用提供高性能、无孔洞的镀铜功能。该设备为提高产能而设计了堆叠式腔体，能减少消耗品的使用，降低成本，节省设备使用面积。

  UltraECPGIII新型化合物半导体电镀设备已实现量产，在深孔镀金工艺中表现优异，台阶覆盖率在同样工艺参数条件下优于竞争对手水平；同时公司开发了去镀金技术并实现模块销售。

  公司研发的立式炉管设备主要包括低压化学气相沉积炉、氧化退火炉、合金炉和原子层沉积炉，公司炉管产品已经进入多个中国集成电路晶圆制造厂，已通过验证并大量量产。其中等离子体增强原子层沉积炉管已进入中国2家集成电路晶圆制造厂，正在做更新优化和为量产准备。

  公司的前道涂胶显影UltraLithTMTrack设备是一款应用于300毫米前道集成电路制造工艺的设备，可提供均匀的下降气流、高速稳定的机械手以及强大的软件系统，从而满足客户的特定需求。该设备功能多样，能够降低产品缺陷率，提高产能，节约总体拥有成本（COO）。涂胶显影Track设备支持主流光刻机接口，支持包括i-line、KrF和ArF系统在内的各种光刻工艺，可确保满足工艺要求的同时，让晶圆在光刻设备中曝光前后的涂胶和显影步骤得到优化。

  公司的等离子体增强化学气相沉积UltraPmaxTMPECVD设备配置自主知识产权的腔体、气体分配装置和卡盘设计，能够提供更好的薄膜均匀性、更优化的薄膜应力和更少的颗粒特性。

  公司的无应力抛光设备将无应力抛光技术SFP(Stress-Free-Polish)与低下压力化学机械平坦化技术CMP相结合，集成创新了低k/超低k介电质铜互连平坦化Ultra-SFP抛光集成系统，集合二者优点，利用低下压力化学机械抛光先将铜互联结构中铜膜抛至150nm厚度，再采用无应力抛光SFP的智能抛光控制技术将抛光进行到阻挡层，最后采用公司自主开发的热气相刻蚀技术，将阻挡层去除。无应力抛光设备应用于铜低k/超低k互连结构有诸多优点：其一，依靠抛光自动停止原理，平坦化工艺后凹陷更均匀及精确可控；其二，工艺简单，采用环保的可以循环使用的电化学抛光液，没有抛光垫，研磨液等，耗材成本降低50%以上；对互联结构中金属层和介质层无划伤及机械损伤。

  公司推出了6/8寸化合物半导体湿法工艺产品线，以支持化合物半导体领域的工艺应用，包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)和砷化镓(GaAs)等。

  公司在半导体先进封装领域进行差异化开发，解决了在更大电镀液流量下实现平稳电镀的难题。采用独创的第二阳极电场控制技术更好地控制晶圆平边或缺口区域的膜厚均匀性控制，实现高电流密度条件下的电镀，凸块产品的各项指标均满足客户要求。在针对高密度封装的电镀领域可以实现2μm超细RDL线的电镀以及包括铜、镍、锡、银和金在内的各种金属层电镀。自主开发的橡胶环密封专利技术可以实现更好的密封效果。

  公司的升级版8/12寸兼容的涂胶设备，用于晶圆级封装领域的光刻胶和Polyimide涂布、软烤及边缘去除。涂胶腔内采用了公司特有的全方位无死角自动清洗技术，可缩短设备维护时间。涂胶腔内可兼容两种光刻胶类型。这款升级版涂胶设备对盛美原有的涂胶设备性能和外观都进行了优化升级，可实现热板抽屉式抽出，方便维修及更换，并且能精确复位，有效保障工序运行。

  公司的UltraCdv显影设备可应用于晶圆级封装，是WLP光刻工艺中的步骤。设备可进行曝光后烘烤、显影和坚膜等关键步骤。设备具备灵活的喷嘴扫描系统，精准的药液流量和温度控制系统，更低的成本控制，技术领先，使用便捷。

  公司的湿法刻蚀设备使用化学药液进行晶圆球下金属层（UBM）的刻蚀工艺。该设备具备领先的喷嘴扫描系统，可提供行业领先的化学温度控制、刻蚀均匀性。该设备专注安全性，并且拥有药液回收使用功能从而减少成本，刻蚀腔内可兼容至多三种刻蚀药液单独使用及回收，提高使用效率。

  公司的UltraCpr湿法去胶设备设计高效、控制精确，提升了安全性，提高了WLP产能。该设备将湿法槽式浸洗与单片晶圆清洗相结合，单片腔可实现高压去胶及常压去胶，也可单独使用。去胶平台能够在灵活控制清洗的同时，最大限度地提高效率，也可与公司专有的SAPS兆声波清洗设备一同使用，以清除极厚或者极难去除的光刻胶涂层。

  公司的湿法金属剥离（MetalLiftoff）设备基于公司已有的湿法去胶设备平台，将槽式去胶浸泡模块与单片清洗腔体串联起来依序使用，在去胶的同时进行金属剥离。该设备可以在不同单片清洗腔中分别配置去胶功能和清洗功能，并通过优化腔体结构，实现易拆卸、清洗与维护，以解决金属剥离工艺中残留物累积的问题。

  公司拓展开发适用于先进封装3D硅通孔及2.5D转接板中金属铜层平坦化工艺应用，为了解决工艺成本高和晶圆翘曲大的难点，利用无应力抛光的电化学抛光原理，相对比传统化学机械平坦化CMP，没有研磨液、抛光头和抛光垫，仅使用可循环使用的电化学抛光液；并且不受铜层是否经过退火的影响，去除率稳定；通过与CMP工艺整合，先采用无应力抛光将晶圆铜膜减薄至小于0.5μm-0.2μm厚度，再退火处理，最后CMP工艺的解决方案，能够有效解决CMP工艺存在的技术和成本瓶颈。

  公司已经研发出可以应用于带铁环晶圆（tape-framewafer）的湿法清洗设备，采用公司自主研发的chuck设计和腔体结构，可以支持不同尺寸铁环，可以用于清洗解键合工艺后的胶残留，清洗效果完全满足生产需求，提升工艺制程的良率。

  聚合物清洗设备使用相关有机溶剂清洗干法刻蚀后的聚合物残留，主要应用于2.5D/3D等先进封装工艺。聚合物清洗设备腔体可兼容两种有机溶剂，同时配备二流体清洗功能。聚合物清洗工艺过程中药液需要Dosing功能以保证清洗能力，该设备具有领先的Dosing功能，可根据工艺时间、药液使用时间和有机溶液浓度控制等灵活进行Dosing设定，保证清洗能力。

  TSV清洗设备主要应用于2.5D/3D等先进封装工艺中，TSV工艺中孔内会有聚合物残留，可选择使用高温硫酸与双氧水混合液进行清洗。TSV清洗设备具有高效的温度控制能力，可控制Wafer表面清洗时温度在170℃高温。清洗后还可搭配公司专有的SAPS兆声波清洗设备一同使用，保证TSV孔内的清洗效果。

  背面清洗/刻蚀设备可用于介质层清洗和刻蚀、以及常规硅刻蚀工艺。背洗和背刻设备可通过手臂翻转或者单独的翻转单元进行翻转，腔体使用伯努利原理通过氮气支撑Wafer进行工艺，在完美保护Wafer正面不受影响的情况下进行背面清洗和刻蚀工艺。

  键合胶清洗设备主要用于2.5D/3D工艺中键合胶的去除，涉及到Wafer边缘键合胶去除及正面键合胶去除。设备配备单独的二流体EBR喷嘴，可用于去除Wafer边缘键合胶；正面只用3根二流体喷嘴，可搭配组合使用或单独使用，具有高效的去除效率；同时药液可进行回收以减少成本。

  公司的带框晶圆清洗设备可在同一腔体中同时完成清洗和干燥工艺，实现高效清洗和干燥。公司自研的处理技术使该设备能够处理厚度小于150微米的薄晶圆。这款设备可在脱粘后的清洗过程中有效清洗半导体晶圆，其创新溶剂回收系统具有显著的环境与成本效益，该功能可实现近100%的溶剂回收和过滤效果，进而减少生产过程中化学品用量。

  公司的CMP后清洗设备用于高质量硅衬底及碳化硅衬底的制造。这款设备在CMP步骤之后，使用稀释的化学药液对晶圆正背面及边缘进行刷洗及化学清洗，以控制晶圆的表面颗粒和金属污染，该设备也可以选配公司独有的兆声波清洗技术。并且这款设备有湿进干出（WIDO）和干进干出（DIDO）两种配置，可以选配2、4或6个腔体，以满足不同产能需求。

  公司的FinalClean清洗设备用于高质量硅衬底及碳化硅衬造。这款设备在PreClean步骤之后，使用稀释的化学药液同时结合公司独有的兆声波清洗技术对晶圆正背面进行化学清洗，以控制晶圆表面颗粒和金属污染。该设备适用于6寸、8寸或12寸晶圆清洗，并且可以选配4腔体、8腔体或12腔体，以满足不同产能需求。

  ①面板级先进封装负压清洗设备面板级先进封装负压清洗设备主要用于更小pitch以及更小的SOH芯片的助焊剂清洗，在2.5D/3D封装应用效果优势明显。专为面板而设计，该面板材料可以是有机材料或者玻璃材料。该设备可处理510x515毫米和600x600毫米的面板以及高达7毫米的面板翘曲。

  该设备专为面板衬底而设计，可与有机面板、玻璃面板和粘合面板兼容。该设备能有效管理面板的正面和背面，适用尺寸由510mmx515mm至600mmx600mm不等，厚度在0.5mm至3mm之间。该设备可处理最大10mm的翘曲，确保最佳工艺条件。该设备专为铜相关工艺中的边缘刻蚀和清洗而设计，能够同时处理面板的正面和背面的边缘刻蚀，显著提升了工艺效率和产品可靠性。

  公司作为一家面向国际科技前沿、坚持自主创新的半导体专用设备企业，遵循全球行业惯例，主要从事技术和工艺研发、产品设计和制造，为客户提供设备和工艺解决方案。公司根据对产品的设计，组织零部件外购及外协，建立了完善的供应链体系，与核心供应商建立了密切的合作关系，根据公司的销售预测，提前部署下一年度的产能需求，提前做好产能安排及快速交付计划，保障了对重要零部件的供应。作为设备厂商，公司提供验证平台，通过设备厂商带动零部件技术攻关，实现对零部件企业的商业赋能。公司通过长期研发积累形成的技术优势，保持较高的产品毛利，进而保持较高比例的研发投入及市场开拓，在报告期内实现了较高的利润率。

  公司主要采用自主研发的模式。公司研发部门以半导体专用设备国际技术动态、客户的真实需求为导向，采用差异化竞争的策略，依靠具有丰富经验的国际化研发团队，研发新工艺、新技术，完成技术方案的验证，并在全球主要半导体生产国家及地区申请专利保护，把研发成果快速产业化，取得了一系列的技术创新和突破。此外，公司在韩国组建了专业的研发团队，结合中国上海以及韩国双方研发团队的各自优势，共同研发用于公司产品的差异化相关技术，提升公司产品性能。公司制定了《研发项目管理办法》，对研发项目的立项、审批、执行等流程进行了规定。公司将继续吸引优秀人才，扩大充实公司世界一流的研发团队，为全球客户不断地提供最好的工艺解决方案。

  为保障公司产品质量和性能，公司建立了完善的采购体系，在报告期内进一步优化了供应链资源、供应商准入体系和零部件供应策略。持续要求供应商填写《供方调查表》，建立供应商档案，了解供应商的人员情况、生产能力、设计能力、财务情况、关键零部件供应商情况、生产和检测设备情况等，对供应商的产品技术与质量、按时交货能力和售后服务等进行综合评估，最终确定合格供应商，纳入合格供应商名单。报告期内，公司保持与主要供应商稳定的长期合作关系。

  公司产品均为根据客户的差异化需求，进行定制化设计及生产制造，主要采取以销定产的生产模式，按客户订单组织生产。

  公司根据市场预测或客户的非约束性预测，编制年度生产计划，并结合客户订单情况编制每月生产计划。公司研发设计工程师根据客户订单提供装配图纸，运用MES、WMS系统分发到仓库和生产车间，进行仓库领料、配料和装配，预装配并预检合格后，交由总装配车间进行各模块整体组装生产线组装，然后由测试部门进行各模块的功能测试，测试合格后，下线发货。公司对外协加工的质量严格把关，与外协厂商建立了多年稳定的合作关系，确保符合客户的差异化需求。

  公司自设立以来，始终坚持全球化发展战略，客户主要位于中国大陆、中国台湾、韩国等国家和地区。公司的市场开拓策略为：首先开拓全球半导体龙头企业客户，通过长时间的研发和技术积累，取得其对公司技术和产品的认可，以树立公司的市场声誉。然后凭借在国际行业取得的业绩和声誉，持续开拓中国大陆等半导体行业新兴区域市场。经过多年的努力，公司已与海力士、华虹集团、长江存储、中芯国际、合肥长鑫等中国半导体行业龙头企业形成了较为稳定的合作关系。

  公司通过直销模式销售产品，不存在分销和经销模式。报告期内，公司通过委托代理商推广、与潜在客户商务谈判或通过招投标等方式获取订单。

  近年来，受下游消费电子、物联网、工业互联、汽车电子等领域快速发展的影响，中国大陆再次掀起了晶圆产能建设的高潮，带动半导体设备投资大幅上升。KnometaResearch的报告指出，到2026年，中国大陆芯片产能将达22.3%，超过韩国（21.3%），中国台湾（21%），一跃成为全球第一。这些新建的晶圆产能大多数是中国实体所为。晶圆产能的扩张促进了中国半导体产业专业人才的培养及配套行业的发展，半导体产业环境的良性发展为中国半导体专用设备制造业产业的扩张和升级提供了机遇。

  半导体行业具有生产技术工序多、产品种类多、技术更新换代快、投资高风险大、下游应用广泛等特点，叠加下游新兴应用市场的不断涌现，半导体产业链从集成化到垂直化分工的趋势越来越明确。目前，中国大陆作为全球最大半导体终端产品消费市场，中国半导体产业的规模不断扩大，中国大陆半导体专用设备需求将不断增长。

  半导体专用设备作为产业链中发挥着重要的基础性支撑作用，是核心技术与工艺的载体，在产业发展中发挥着重要的基础性支撑作用。半导体专用设备的技术复杂，客户对设备的技术参数、运行的稳定性有苛刻的要求，以保障生产效率、质量和良率。集成电路制造工艺的技术进步，反过来也会推动半导体专用设备企业不断追求技术革新。同时，集成电路行业的技术更新迭代也带来对于设备投资的持续性需求，而半导体专用设备的技术提升，也推动了集成电路行业的持续快速发展。

  半导体专用设备行业为技术密集型行业，生产技术涉及微电子、电气、机械、材料、化学工程、流体力学、自动化、图像识别、通讯、软件系统等多学科、多领域知识的综合运用。半导体专用设备价值较高、技术复杂，对下游客户的产品质量和生产效率影响较大。半导体行业客户对半导体专用设备的质量、技术参数、稳定性等有严苛的要求，对新设备供应商的选择也较为慎重。一般选取行业内具有一定市场口碑和市占率的供应商，并对其设备开展周期较长的验证流程。因此，半导体专用设备企业在客户验证、开拓市场方面周期较长，难度较大。

  集成电路设备行业技术门槛高，公司的技术水平与国际巨头仍有差距，需加快技术研发与产业化进程。集成电路设备涉及微电子、电气、机械、材料、化学工程、流体力学、自动化、图像识别、通讯、软件系统等多学科、多领域知识综合运用及动态密封技术、超洁净室技术、微粒及污染分析技术等多种尖端制造技术。因此，集成电路设备具有技术含量高、制造难度大、设备价值高和行业门槛高等特点，被公认为工业界精密制造最高水平的代表之一。

  全球半导体清理洗涤设施市场高度集中，尤其在单片清理洗涤设施领域，DNS、TEL、LAM与SEMES四家公司合计市场占有率达到90%以上，其中DNS市场份额最高，市场占有率在33%以上。本土12英寸晶圆厂清理洗涤设施主要来自DNS、盛美、LAM、TEL。

  目前，中国大陆能提供半导体清理洗涤设施的企业较少，主要包括盛美上海、北方华创、芯源微及至纯科技。根据中银证券专题报告的历年累计数据统计显示，公司清洗设备的中国市场市占率为23%；而Gartner2023年数据显示，公司在全球清洗设备的市场份额为6.6%，排名第五。除清洗设备外，公司亦积极扩大产品组合，在半导体电镀设备、半导体抛铜设备、先进封装湿法设备、立式炉管设备、前道涂胶显影Track设备、等离子体增强化学气相沉积PECVD设备等领域扩大布局。2023年中国大陆半导体专用设备制造五强企业中，公司位列其中。

  为落实“十四五”数字经济发展规划，支撑新一代信息技术产业率先发展，中国大力发展半导体制造装备及工艺，对促进科技创新，提升产业链关键环节竞争力，加快制造业产业转型升级，加强引领性科技攻关，保障数字经济发展基础。

  半导体产业具有“一代设备、一代工艺和一代产品”的特点，半导体产品制造要超前电子系统开发新一代工艺，而半导体设备要超前半导体产品制造开发新一代产品。因此，半导体设备企业需要不断提高技术研发能力，推动产品的迭代升级及新产品研发，持续优化产品布局。随着半导体技术的不断进步，半导体器件集成度不断提高。一方面，芯片工艺节点不断缩小，由12μm-0.35μm（1965年-1995年）到65nm-22nm（2005年-2015年），且还在向更先进的方向发展；另一方面半导体晶圆的尺寸却不断扩大，主流晶圆尺寸已经从4英寸、6英寸，发展到现阶段的8英寸、12英寸。此外，半导体器件的结构也趋于复杂。例如存储器领域的NAND闪存，根据国际半导体技术路线图预测，当工艺尺寸逐渐缩小，目前的Flash存储技术将会达到尺寸缩小的极限，存储器技术将从二维转向三维架构，进入3D时代。3DNAND制造工艺中，主要是将原来2DNAND中二维平面横向排列的串联存储单元改为垂直排列，通过增加立体层数，解决平面上难以微缩的工艺问题，堆叠层数也已经从32层、64层向128层及以上发展。这些对半导体专用设备的精密度与稳定性的要求越来越高，未来半导体专用设备将向高精密化与高集成化方向发展。

  考虑到半导体芯片的应用极其广泛，不同应用领域对芯片的性能要求及技术参数要求差异较大，如手机使用的SoC逻辑芯片，往往需要使用12英寸晶圆，而对于工业、汽车电子、电力电子用途的芯片，仍在大量使用6英寸和8英寸晶圆及μm级工艺。不同技术等级的芯片需求大量并存，这也决定了不同技术等级的半导体专用设备均存在市场需求。未来随着半导体产业技术的持续发展，适用于12英寸晶圆以及更领先工艺的半导体专用设备需求将以更快的速度成长，但高、中、低各类技术等级的设备均有其对应的市场空间，短期内将持续并存发展。

  公司的主要产品包括半导体清洗设备、半导体电镀设备和先进封装湿法设备，通过多年的技术研发，公司在上述产品领域均掌握了相关核心技术，并在持续提高设备工艺性能、产能，提升客户产品良率和降低客户成本等方面不断进行创新。这些核心技术均在公司销售的产品中得以持续应用并形成公司产品的竞争力。近年来，公司推出了多款拥有自主知识产权的新设备、新工艺。其中UltraPmaxTM等离子体增强化学气相沉积PECVD设备，2024年第三季度向中国的一家集成电路客户交付其首台PECVD设备，验证TEOS及SiN工艺。该设备及发布的前道涂胶显影设备UltraLith，这两个全新的产品系列将使公司全球可服务市场规模翻倍增加。2024年炉管设备继续推出新技术产品，包括两款新型ALD炉管，并开始进入工艺验证阶段，进一步强化公司在炉管设备上的竞争力。

  国家集成电路创新中心和上海集成电路研发中心有限公司于2020年6月20日对公司的核心技术进行了评估，并出具了《关于盛美半导体设备（上海）股份有限公司核心技术的评估》，盛美上海的核心技术主要应用于半导体清洗设备、无应力抛光设备和电镀铜设备。这些核心技术均为盛美上海自主研发取得，与国内外知名设备厂商相比，部分核心技术已达到国际领先或国际先进的水平。

  公司推出的多款拥有自主知识产权的新设备、新工艺，包括立式炉管设备、涂胶显影设备、等离子体增强化学气相沉积PECVD设备，核心技术均来源于自主研发，部分核心技术已达到国内领先或国际领先的水平。

  针对传统兆声波清洗工艺中兆声波能量无法均匀控制的问题，公司开发了SAPS兆声波清洗技术。兆声波的工艺频率范围为1-3MHz，最大功率可达3W/cm2。SAPS兆声波清洗技术通过控制工艺过程中兆声波发生器和晶圆之间的相对运动，使得晶圆上每一点在工艺时间内接收到的兆声波能量都相同，不受晶圆翘曲的影响，并确保晶圆上每点所承受的能量在安全范围内。实验证明，SAPS兆声波清洗技术可控制晶圆表面的能量非均匀度在2%以内，实现了兆声波能量的安全可控。

  随着芯片技术节点进一步缩小，以及深宽比进一步增大，图形晶圆清洗的难度变大。当芯片制造技术进一步延伸至20nm以下，以及图形结构向多层3D发展后，传统兆声波清洗难以控制气泡进行稳态空化效应，造成气泡破裂，从而产生高能微射流对晶圆表面图形结构造成损伤。

  公司自主研发的TEBO清洗设备，可适用于28nm及以下工艺图形晶圆的清洗，通过一系列快速（频率达到每秒一百万次）的压力变化，使得气泡在受控的温度下保持尺寸和形状振荡，将气泡控制在稳定震荡状态，而不会内爆，从而保持晶圆微结构不被破坏，对晶圆表面图形结构进行无损伤清洗。公司TEBO清洗设备，在器件结构从2D转换为3D的技术转移中，可应用于更为精细的具有3D结构的FinFET、DRAM和新兴3DNAND等产品，以及未来新型纳米器件和量子器件等，在提高客户产品良率方面发挥越来越重要的作用。

  公司研发的单片槽式组合Tahoe高温硫酸清洗设备，此设备集成了单腔体清洗模块和槽式清洗模块，可用于12英寸晶圆生产线的前端和后道工艺，尤其可用于高温硫酸工艺。综合了槽式和单片的优势，取长补短，在同一台设备中分步完成槽式清洗和单片清洗工序，既大量节省了硫酸使用量，也保证的良好的清理洗涤效果，实现了绿色工艺，成本节约，环境友好的技术突破，解决了困扰业界多年的硫酸消耗量大的难题。2024年UltraCTahoe通过升级取得重要性能突破，升级版UltraCTahoe的新功能和优势如下：

  更强的颗粒去除性能：Tahoe平台具备更强大的清洗能力，在26纳米颗粒测试中实现了平均颗粒个位数的标准，可满足高端制造的严格要求。该设备未来会增加更精密的微粒过滤系统，能够去除1x纳米的微粒，可用于行业领先的逻辑和内存应用。

  更高的产能：升级后的槽式模块和多个单晶圆腔体每小时产能超过200片晶圆，可与12腔体单片SPM系统媲美。

  公司研发的无应力抛光技术，将阴极设计为惰性金属电极，将具有金属铜膜的晶圆连接到阳极，利用电解反应过程，使晶圆上的铜膜失去电子，形成铜离子进入到电解质溶液（抛光液）中，在阴极处会有氢气生成。随着电解过程的进行，晶圆表面铜膜逐渐溶解在抛光液中，从而达到了对表面铜膜的抛光作用。

  公司研发的多阳极局部电镀技术，可独立控制每个阳极的工作电压以及工作时区，从而控制晶圆表面的电场及电流分布，使电镀电源控制的响应时间精确控制，使在超薄籽晶层上的电镀铜膜均匀度提高，完成纳米级小孔的无孔穴填充电镀。该技术设置独立电镀液流场控制系统，单独控制向各个阳极提供电镀液，精确控制电镀腔内的流体场，独立控制晶圆切入系统，控制晶圆进入电镀液的关键参数，减少电镀时产生的缺陷。该技术配合多阳极智能电源，实现智能入水电流保护，适用于多种金属电镀应用。

  公司成功开发了拥有自主知识产权的前道铜互连电镀设备UltraECPmap，UltraECPmap+，UltraECPmap++，并已实现量产，确立了公司在本土12英寸铜互连电镀设备市场的龙头地位。

  公司研发的ECP电化学电镀技术，主要应用于先进封装PillarBump、RDL、HDFan-Out和TSV中的铜、镍、锡银（或纯锡）、金等电镀工艺。（1）多阳极电镀技术基于多同心环阳极，并且独立控制每个阳极的工作电压以及工作时区，从而控制晶圆表面的电场及电流分布，精确到毫秒级电镀电源控制响应，使电镀铜膜均匀度提高。并且采用独立电镀液流场控制系统，单独控制向各个阳极提供电镀液，精确控制电镀腔内的流体场。第二阳极技术可以针对晶圆的notch开口区域进行精确控制；（2）脉冲电镀技术，通过周期性的输出脉冲电流，能够有效克服原有直流电镀，大电流造成添加剂参与电镀反应消耗速度大于添加剂物质传输补充的速度的瓶颈，实现更高的电流密度。针对高电流密度下的宏观脉冲电镀技术可以实现更好的共面性。

  依托上述多项核心技术，公司成功开发了先进封装电镀设备、三维TSV电镀设备和高速电镀设备，填补中国市场空白并形成批量销售。

  立式炉是集成电路制造过程中的关键工艺设备之一，可批式处理晶圆，按照工艺压力和应用可以分为常压炉和低压炉两类，常压炉主要完成热扩散掺杂、薄膜氧化、高温退火；低压炉主要实现不同类型的薄膜在晶圆表面的沉积工艺，主要是多晶硅、氮化硅、氧化硅等薄膜。

  公司研发的立式炉管设备可用于12英寸晶圆生产线，主要实现不同类型的薄膜在晶圆表面的沉积工艺：主要由晶圆传输模块、工艺腔体模块、气体分配模块、温度控制模块、尾气处理模块以及软件控制模块所构成，针对不同的应用和工艺需求进行设计制造，首先集中在LPCVD设备，再向氧化炉和扩散炉发展，最后逐步进入到ALD设备应用。

  公司开发的常压氧化炉和LPCVD炉管已经逐步应用于多个中国集成电路制造工厂，且逐步通过验证并正在向更多订单量发展。能达成精确薄膜控制和高均匀度的多种原子层沉积立式炉管（ALD）正在加大力度开发和陆续进入客户端验证，取得初步进展。

  公司推出前道涂胶显影UltraLithTMTrack设备，采用公司具有全球专利申请保护的垂直交叉式架构，应用于300毫米前道集成电路制造工艺，可提供均匀的下降层流、高速稳定的机械手以及强大的软件系统，从而满足客户的高产出及其他特定需求。该设备支持主流光刻机接口。

  公司研发的涂胶显影Track设备已经进入客户端验证阶段，并且获得了部分工艺结果，涂胶工艺膜厚满足客户要求，显影关键尺寸CD接近工艺指标。最新研发的KrF工艺300WPHTrack设备，设计完成，核心模块测试完成。

  公司推出的UltraPmaxTMPECVD设备，该设备配置了自主知识产权的腔体、气体分配装置和卡盘设计，能够提供更好的薄膜均匀性、更小的薄膜应力和更少的颗粒特性。UltraPmaxTMPECVD设备的推出，标志着公司在前道半导体应用中进一步扩展到全新的干法工艺领域。

  基于UltraPmaxTMPECVD设备平台基础上，在2024年公司推出了升级版本的UltraPmax+TMPECVD设备平台，具备晶圆在腔体内公转的特性，同时大大缩小了设备的占地面积，以及大大提高了设备的WPH，针对工艺中沉积较薄的薄膜具备较大的优势。

  2024年全球半导体市场逐渐复苏，市场活跃度有所提升，但竞争格局依然高度集中。半导体专用设备市场与半导体产业景气度息息相关，其中芯片制造设备是需求最大的领域。2025年初，市场预计延续2024年的趋势：人工智能（AI）的需求将继续拉动芯片产品需求，但传统消费电子、智能手机和汽车等领域的需求仍然疲软。中国企业在成熟制程和海外市场拓展方面取得进展，但也面临投融资和并购整合等方面的挑战。展望未来，随着5G通信、计算机、消费电子和网络通信等下业需求的稳步增长，以及物联网、人工智能、汽车电子、智能手机、智能穿戴、云计算、大数据和安防电子等新兴领域的快速发展，集成电路产业将面临新型芯片和先进工艺的产能扩张需求，这将为半导体专用设备行业带来广阔的市场空间。

  半导体专用设备行业具有较高的技术壁垒、市场壁垒和客户认知壁垒，以美国AppliedMaterial、荷兰ASML、美国LAM、日本TEL和DNS、美国KLA等为代表的国际知名企业经过多年发展，凭借资金、技术、客户资源、品牌等方面的优势，占据了全球半导体专用设备市场的主要份额。

  全球范围内，美国AppliedMaterials作为最大的半导体专用设备供应商，在晶圆制造设备的核心环节热处理、镀膜设备、离子注入设备等领先全球；日本半导体设备公司更擅长制造刻蚀设备、清理洗涤设施、涂胶设备、显影设备、测试设备等产品；荷兰ASML则在高端光刻机领域处于领先地位；美国LAM在刻蚀、清洗、电镀设备领域拥有较强的竞争优势；中国大陆的半导体专用设备企业经过多年来的快速发展，在刻蚀设备、清理洗涤设施及封装测试设备等领域，已具备与全球行业内领先企业竞争的能力。

  随着全球半导体行业企业开展多方面竞争，中国集成电路产业持续快速发展。芯片制造行业，尤其是晶圆制造行业往往设备投资规模庞大。当前，12英寸晶圆制造项目投资以数十亿甚至百亿美元计。晶圆制造的技术复杂，工艺步骤繁多，生产所需的设备种类较多，单一设备的效率、可靠性等将直接影响整条生产线的工作效率和芯片产品的良率，因此晶圆制造企业对新设备的选择非常慎重，需要经过较长验证周期，首先确保其在技术领先性、设备可靠性上符合其要求，之后才会考虑诸如经济性等商业条件，决定是否采购，是否实际用于生产。

  近年来，随着中国对半导体产业的高度重视，中国部分半导体专用设备企业经过了十年以上的技术研发和积累，在部分技术领域陆续取得了突破，成功地通过了部分集成电路制造企业的验证，成为了制造企业的设备供应商。预计随着国家政策的大力支持，中国半导体企业技术水平将进一步提升，中国半导体市场在全球市场亦将维持较高的占比。

  虽然中国半导体专用设备企业销售规模不断增长，但整体国产率还处于较低的水平，目前中国半导体专用设备仍主要依赖进口。

  综上，随着中国半导体专用设备行业部分企业的技术突破，中国半导体专用设备产业的发展进程预计将提速。目前，中国半导体产业仍面临需求不足，尚不能对全面复苏起到有力支撑，这将是2025年中国半导体市场需要应对的一大挑战。

  公司将努力抓住中国半导体行业的快速发展机遇，充分发挥公司已有市场地位、技术优势、工艺积累和行业经验，密切关注全球半导体专用设备行业的前沿技术，确保公司产品品质、核心技术始终处于中国行业领先地位，并奋力赶超全球领先水平。公司将在现有产品的基础上实现产品性能和技术升级，持续跟踪新兴终端市场的变化，确保公司产品与市场需求有效结合。

  公司自设立以来，始终坚持“技术差异化、产品平台化、客户全球化”的发展战略，专注于半导体专用设备领域，旨在以持续的研发团队建设，吸引高端专业人才，通过自主研发提升科技创新能力；通过有力的全球市场开拓，提升市场占有率；通过不断的推出差异化的新产品、新技术，提升公司的核心竞争力，扩大公司的收入和利润规模，为股东创造价值，为半导体制造商提供定制化、高性能、低消耗的工艺解决方案，来提升生产效率和产品良率。

  公司将紧紧围绕整体发展战略，以技术创新为核心发展动力，以市场为导向，不断提高经营管理水平，通过技术突破、新产品研制开发、人才培养、市场开拓、兼并收购、内控建设等多方面工作，加强公司领先优势，加快战略项目拓展，巩固并提升市场占有率，在保持合理的毛利率的同时，扩大公司的收入规模，为客户及股东创造价值。

  公司将不断完善研发管理机制和创新激励机制，对在技术研发、产品创新、专利申请等方面做出突出贡献的技术研发人员给予奖励，激发技术研发人员的工作热情。公司将持续加大研发投入力度，搭建更好的研发实验环境，为技术突破和产品创新提供重要的基础和保障。

  设备的研发方面，公司在持续改善现有设备的性能的同时，将根据市场及客户需求，细分产品，开发不同的硬件特征，提高产品针对不同应用的性能，满足不同客户的需求。与此同时，公司会根据客户的研发需求，定义下一大产品的技术指标和技术路线，开发能实现用户需求的新产品。

  公司将根据实际情况和未来发展规划，继续引进和培养各方面的人才，同时吸纳全球高端人才，优化人才结构；公司将加强员工培训，继续完善员工培训计划，形成有效的人才培养和成长机制，通过内外部培训、课题研究等方式，提升员工业务能力与整体素质，在鼓励员工个性化、差异化发展的同时，培养团队意识，增强合作精神，打造世界级的一流人才团队，实现公司可持续发展；同时，公司未来还将根据具体情况对优秀人才持续实施股权或期权激励，将公司利益、个人利益与股东利益相结合，有效的激励优秀人才。

  公司将立足中国大陆芯片制造企业的需求，重点面向中国大陆需求，提高现有产品在已有客户的市场占有率，加快新客户产品验证的进程，力图实现多客户、多产品同步推进验证工作。同时，公司将在已进入韩国、中国台湾地区市场、美国的基础上，密切关注全球范围内芯片制造生产线的投产计划，紧跟全球半导体行业第一梯队的大客户，提高中国大陆以外国际市场的销售比例。

  在高度竞争的产业形势下，公司考虑在有机成长的同时，与国内外高端的半导体设备厂商或知名设备厂商进行合作开发，使公司能够覆盖更多的产品品类、占领更多细分市场，为公司的长期可持续成长奠定基础。

  随着公司发展规模的不断扩张，公司将持续加强内控建设，提高公司经营管理水平和风险防范意识，促进公司高速、稳定、健康发展。结合公司实际情况，全面梳理原有管理制度，在符合内部控制要求的前提下，着眼于管理创新、建立适合本公司的内部控制管理体系，明确相关部门人员的职责和权限，推行全面管理，提倡全员参与，建立彼此连接、彼此约束的内控制度。

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